教員紹介

75668.jpg

Alberto CASTELLAZZI アルベルト カステッラッズィ

学部・学科

職名

教授

学位

Dr. Ing. (TU Munich)

所属学会

Power Electronic Conversion Technology Annex (PECTA) of the International Energy Agency (IEA)

専門分野 パワー半導体; パワーエレクトロニクス
略歴

ミラノ大学 (イタリア) 科学技術学部 物理学科 卒業
ミュンヘン工科大学(ドイツ)の博士工学位
CGS-OHB Italia 株式会社電気工学研究所パワーエレクトロニクスエンジニア
ミュンヘン工科大学電気工学の物理学同研究所 パワー半導体デバイス研究員 
スイス連邦工科大学チューリッヒ統合マイクロシステム研究所 主任研究員
ノッティンガム大学工学部 助教授と准教授

担当科目

スタートアップゼミA
スタートアップゼミB
モータ工学基礎
モータ制御
発変電工学
半導体工学
パワーエレクトロニクス工学
電気回路
アナログ電子回路
デザイン基礎
メカトロ実習(エネルギー)
プレキャップストーンプロジェクトⅠ
プレキャップストーンプロジェクトⅡ
キャップストーンプロジェクトⅠ
キャップストーンプロジェクトⅡ
研究室プロジェクトⅠ
研究室プロジェクトⅡ

お問い合わせ

+81-75-406-9230
alberto.castellazzi@kuas.ac.jp

研究内容

「ワイドバンドギャップ(WBG)半導体デバイス」(炭化ケイ素、SiC、窒化ガリウム、GaN)の特性評価と使用、パッケージングと熱管理を含む高度なソリッドステート電力処理により、効率、電力の破壊的な共同進展を実現 電力コンバータの密度と信頼性。 これは、社会インフラの多くの重要な要素の着実に増加する電化から生じる必要性であり、注目すべき例は、再生可能エネルギーの生成、固体変換、ハイブリッド/電気輸送です。

研究キーワード パワー半導体、パワーエレクトロニクス、パッケージング

著書

  1. Performance and reliability of PowerMOSFETs in the 42V-PowerNet, Shaker Verlag, Aachen, 2004. Sole Author
  2. Comprehensive Compact Models for the Circuit Simulation of Multichip Power Modules, IEEE, May 2010. Sole Author
  3. Single-Phase T-Type Inverter Performance Benchmark Using Si IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs, IEEE, Dec. 2015, Joint authorship (2 authors)
  4. SiC power MOSFETs performance, robustness and technology maturity, Elsevier Ltd., Mar. 2016, Joint authorship (6 authors)

メッセージ

電力変換の研究に興味のある勤勉な修士課程および博士課程の学生からの国際的な関心の表明を歓迎します。

このページの先頭へ