京都先端科学大学　松波特任教授が炭化ケイ素（SiC）を用いた半導体素子の開発で、SSDMアワードを受賞

京都先端科学大学（所在地：京都市右京区、学長：前田 正史）　ナガモリアクチュエータ研究所の松波　弘之特任教授が、国際固体素子・材料コンファレンス（SSDM）からSSDMアワードを授与されました。SSDMは、50年以上の伝統がある国内最大級の国際会議です。SSDMアワードは、SSDMが、過去にSSDMで発表された固体素子や材料分野に関する優れた研究論文を対象に、学術や産業の発展に貢献した研究者を称える賞です。今回の受賞は、1993年に発表した「高耐圧(1kV)SiCショットキーバリアダイオード」の論文に対するもので、2005年に「ステップ制御VPE法による低温でのSiC単結晶成長」でSSDMアワードを受賞して以来、2度目の受賞となります。松波教授は、実現が極めて難しいとされていたSiCの単結晶化に成功し、その生成技術を確立しました。さらにこの技術を用いて、高耐圧で低損失のショットキーバリアダイオードを開発。大量の電気を扱う発電所や電気自動車（EV）などに使用されている、低炭素化社会の実現に必要不可欠なSiCパワー半導体の製品化への道を拓きました。