本学 松波 弘之特任教授が日本学士院賞受賞

私の長年のSiCに関する研究に対して日本学士院賞という権威ある賞を授賞いただけることを大変光栄に思います。私は、高温下での使用が可能で、放射線に対しても強い特性をもつSiCをエレクトロニクス用材料として産業界で活かしたいという気持ちから1968年に京都大学でSiCの研究に着手しました。情熱、継続、忍耐で研究を行った結果、21年後の1987年に高品質なシリコンカーバイドの結晶を成長させる「ステップ制御エピタキシー技術」を発明しました。この技術がブレークスルーとなり、世界中でSiCを用いたパワー半導体の開発が始まりました。今やサーバーやワークステーション用の電源、太陽光発電のパワーコンバータ、鉄道や電気自動車のインバータなど様々な用途でSiCパワー半導体が使用され、膨大な量の電力削減が実現されています。

末筆になりますが、共に研究したスタッフ、学生および関係者のご尽力に対して御礼を述べるとともに、この受賞により、若手研究者、技術者が人と異なることをする勇気を持つきっかけになれば幸いです。